オネスト 8インチSICウェハリサーチグレード/4H-N 研究用 1枚入

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オネスト

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詳細情報

メーカー	‎オネスト
部品番号	‎67-3018-42
サイズ	‎8インチSICウェハリサーチグレード/4H-N 研究用

この商品について

グレード：リサーチグレード
タイプ：4H
Surface orientation error：11-20 4±0.5 °
ドーパント：N型 Nitrogen
抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm
直径：200.0±0.2mm
厚み：500±25 μm
主要ノッチ方位：[1-100]±5 °
主要ノッチ深さ：1-1.5 mm
セカンドオリフラ：None

●グレード：リサーチグレード
●タイプ：4H
●Surface orientation error：11-20 4±0.5 °
●ドーパント：N型 Nitrogen
●抵抗率：0.015～0.025 ohm・cm
●直径：200.0±0.2mm
●厚み：500±25 μm
●主要ノッチ方位：[1-100]±5 °
●主要ノッチ深さ：1-1.5 mm
●セカンドオリフラ：None
●LTV：≤5（10mm×10mm）μm
●TTV：≤10μm
●Bow：0±45μm
●Warp：≤50μm
●（AFM）Front（Si-face）Roughness：Ra≤0.2 nm
●マイクロパイプ：≤10ea／cm
●金属不純物：≤1E11atoms／cm
●TED：≤10000ea／cm
●BPD：≤5000ea／cm
●TSD：≤1000ea／cm
●小なり表面状態大なり
●フロントサイド：Si
●面状態：Si-face CMP
●パーティークル：NA
●スクラッチ：NA
●小なり裏面状態大なり
●面状態：C-face polished
●スクラッチ：NA ea／mm
●裏面粗さ：Ra≤5 nm
●レーザーマーク：On
●エッジ：Chamfer
●Notes："NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD
●数量：1枚（1箱）
●※特注対応品
●▼方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
●※特注対応での受注の場合は仕入先とご調整お願いします。

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
※※事業者向け商品です※※

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