Please read the item description carefully as the item photos may not match the actual product. View original page

Translate

【PD.65W.USB充電器】 GaN半導体技術／急速充電器／高速充電器／PD対応 USB-C×2 & USB-A

Current Price

¥ 1,200

( ≈ -- )

Buyout

¥ 1,580

( ≈ -- )

Time Left

Bid Ended

Auction ID

g1168326274

Number of Bids

Seller

H-villege

Rating

853

Auction has ended

Sale

1.24-1.26, Mercari limited 7% OFF! 1.24-2.6, Yahoo! Auction & Amazon 5% off! 1.22-1.27, Surugaya 6% OFF! 1.21-1.26, Rakuma & Rakuten 5% OFF! 1.21-1.26, TCG Sites 4% off!

Item Information

Item Status
Unused
Domestic Shipping
Based on actual arrival at the warehouse
Int'l Shipping Fee
Apply after arriving at the Doorzo warehouse
Auto-Extension
Yes
Early Finish
Yes
Starting Price
1,200 JPY
Bid Increment
200 JPY
Ship From
東京都

Item Name

【PD.65W.USB充電器】 GaN半導体技術／急速充電器／高速充電器／PD対応 USB-C×2 & USB-A

Item Description

【高出力】
65Wの出力により、さまざまなデバイスを迅速に充電できます。

【多様なポート】
USB-C×2とUSB-Aのポートを搭載しており、異なるデバイスに対応可能です。

【GaN半導体技術】
窒化ガリウム（GaN）は、特に高効率パワー・トランジスタや集積回路において、半導体の世界で革命的な存在となっています。この窒化ガリウム技術は下記のように機能します。

2DEGの生成：GaN結晶の上に窒化アルミニウム・ガリウム（AlGaN）の薄い層を成長させることによって、界面に歪みが生じ、補償的な2次元電子ガス（2DEG）が誘発されます。この2DEGは、電界が印加されたときに電子を効率的に伝導するために使われます。

高効率な伝導：この2DEGは、界面の非常に狭い領域に電子が閉じ込められるため、非常に伝導性があります。この閉じ込めによって、電子の移動度は、歪みのないGaNの約1000 cm2/Vsから、2DEG領域では1500～2000 cm2/Vsに増加します。

優れた性能：窒化ガリウムの高い伝導性によって、同等のシリコン・ソリューションよりも高い破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導性、より低いオン抵抗を特徴とするトランジスタと集積回路が形成できます。

【安全性】
急速充電を実現しつつ、機器を損なうことなく安全に使用できます。

- 出力: 65W
- ポートタイプ: USB-C, USB-A
- PD対応: 対応
- 急速充電: 可能
- デバイス互換性: 異なるデバイスに対応

ご覧いただきありがとうございます。

Translate