1 / 6

商品画像は実物と異なる場合がありますので、必ず商品説明を詳細にお読みください 元サイトをチェック

【PD.65W.USB充電器】 GaN半導体技術/ 急速充電器 /高速充電器 /PD対応 USB-C×2 & USB-A

現在

¥ 1,200

( ≈ -- )
即決価格

¥ 1,580

( ≈ -- )
残り時間
1 日 18:23:42
オークション番号
g1168326274
入札回数
0
店舗
H-villege
もっと
評価
836
5

キャンセル、返品、交換は承っておりません。ご確認の上ご注文ください。

活動
1.01-1.31,毎日「代理購入手数料0円」クーポン配布中! 1.07-1.10,メルカリ最大1500円オフ! 1.08-1.11,Yahoo! フリマ 5% オフ! 1.07-1.12,人気サイト商品最大95折!
商品情報
  • 商品状態
    未使用
  • 国内配送費用
    実際に倉庫に到着することが条件
  • 国際送料
    東京倉庫に到着し、計量後に受取ります
  • 自動延長
    可能
  • 早期終了
    可能
  • 開始金額
    1,200 円
  • 入札単位
    200 円
  • 出品地
    東京都
商品名
【PD.65W.USB充電器】 GaN半導体技術/ 急速充電器 /高速充電器 /PD対応 USB-C×2 & USB-A
商品説明
【高出力】
65Wの出力により、さまざまなデバイスを迅速に充電できます。

【多様なポート】
USB-C×2とUSB-Aのポートを搭載しており、異なるデバイスに対応可能です。

【GaN半導体技術】
窒化ガリウム(GaN)は、特に高効率パワー・トランジスタや集積回路において、半導体の世界で革命的な存在となっています。この窒化ガリウム技術は下記のように機能します。

2DEGの生成:GaN結晶の上に窒化アルミニウム・ガリウム(AlGaN)の薄い層を成長させることによって、界面に歪みが生じ、補償的な2次元電子ガス(2DEG)が誘発されます。この2DEGは、電界が印加されたときに電子を効率的に伝導するために使われます。

高効率な伝導:この2DEGは、界面の非常に狭い領域に電子が閉じ込められるため、非常に伝導性があります。この閉じ込めによって、電子の移動度は、歪みのないGaNの約1000 cm2/Vsから、2DEG領域では1500~2000 cm2/Vsに増加します。

優れた性能:窒化ガリウムの高い伝導性によって、同等のシリコン・ソリューションよりも高い破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導性、より低いオン抵抗を特徴とするトランジスタと集積回路が形成できます。

【安全性】
急速充電を実現しつつ、機器を損なうことなく安全に使用できます。

- 出力: 65W
- ポートタイプ: USB-C, USB-A
- PD対応: 対応
- 急速充電: 可能
- デバイス互換性: 異なるデバイスに対応

ご覧いただきありがとうございます。

関連商品